leyu.乐鱼-天成半导体12英寸SiC新突破

近日，天成半导体官微公布，依托自立研发的12英寸碳化硅长晶装备乐成研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶质料，12英寸N型碳化硅单晶质料晶体有用厚度冲破35㎜厚。

据悉，天成半导表现已经把握12英寸高纯半绝缘及N型单晶生长双成熟工艺，且自研的长晶装备可产出直径到达350㎜的单晶质料。

资料显示，天成半导体建立在2021年8月，是一家专注在第三代半导体碳化硅衬底质料研发、出产和晶体生长设备制造的高新技能企业。

最近几年来，天成半导体于碳化硅范畴取患了诸多主要进展，率先研发出可量产的8-12英寸导电型及半绝缘型碳化硅单晶质料。

2022年实现了6英寸导电型及半绝缘型碳化硅晶锭的小批量出产；2023年6月实现8寸SiC单晶技能研发冲破，开发出了直径为 202妹妹 的8寸SiC单晶；2024年实现了8英寸SiC单晶批量出产，产物厚度匀称性偏差小在2微米。

本年7月，天成半导体公布乐成研制出12英寸（300妹妹）N型碳化硅单晶质料，霸占了年夜尺寸扩径工艺及低缺陷N型单晶质料的生长工艺，其立异采用的电阻炉工艺使晶体生长速率冲破0.4妹妹/h的行业瓶颈，微管密度降至0.5个 /cm² 如下，良率到达65%。

截至今朝，天成半导体已经形成为了碳化硅单晶炉制造、碳化硅粉料制备、6-12英寸碳化硅单晶质料生长、出产耗材加工等完备的出产线。实现了从碳化硅长晶装备制造、粉料、籽晶、热场设计到晶体加工等全流程工艺彻底自立可控。